1. PN 结的形成

  扩散:载流子从浓度高的区域向浓度低的区域的运动。

  漂移: 在电场力作用下载流子的运动。

  扩散运动和漂移运动是相互联系又相互独立的，扩散使空间电荷区加宽，电场增强;而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱。当漂移运动和扩散运动相等时，空间电荷区处于动态平衡状态。

  PN 结是由P 型半导体和N 型半导体相结合形成的不能移动的正、负离子组成的空间电荷区，又称耗尽区。

  在空间电荷区的两侧， P 区带负电， N 区带正电，由于正负离子之间的相互作用， 在空间电荷区形成了一个电场，方向由N 区指向P 区。这个电场是在PN 结内部形成的，而不是由外加电压形成的，故称为内电场，内电场是阻止载流子扩散运动的。

  2. PN 结的单向导电性

  PN 结外加正向电压时，内外电场方向相反，外电场的存在削弱内电场，使耗尽区变窄，促进扩散运动，从而形成较大的正向电流。正向偏置的PN 结表现为一个阻值很小的电阻。

  PN 结外加反偏电压时，内电场和外电场的方向相同，增强内电场，使耗尽区变宽，更利于少数载流子的漂移运动，从而形成了较小的反向电流。反向偏置的PN 结表现为一个阻值很大的电阻。

  3. PN 结的V-I 特性

  当PN 结两端加正向电压时，电压Vo 为正值， PN 结的电流与电压呈指数关系;当PN结两端加反向电压时，电压V₀ 为负值。

  4. PN 结反向击穿

  当PN 结的反向电压逐渐增加到一定数值时，反向电流会突然快速增加，此现象称为PN 结的反向击穿。反向击穿有电击穿和热击穿。

  雪崩击穿发生在低掺杂的PN 结中，击穿电压较低;齐纳击穿发生在高掺杂的PN 结中，击穿电压较高。这两种击穿属于电击穿，过程是可逆的;在反向电压和反向电流的乘积不超过PN 结的容许耗散功率的前提下，加在PN 结两端上的反向电压降低后，管子仍可以恢复原来的状态。

  若反向电压和反向电流的乘积超过PN 结的容许耗散功率，则因热量散不出去使PN 结温度上升，直至过热而烧毁，这种现象叫热击穿，此过程是不可逆的。

  5. PN 结电容

  扩散电容C_D : 因扩散运动在PN 结附近形成的电容。

  势垒电容C_B : 当PN 结外加反向电压时，呈现出来的电容效应。

  PN 结的电容效应在交流信号作用下才会表现出来。PN 结正向偏置时，主要是扩散电容; PN 结反向偏置时，主要是势垒电容。